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集微网消息,2016年 7月12日 -推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),采用提升CCD图像传感器的近红外灵敏度的技术,增强在严格要求
CCD图像传感器灵敏度较CM OS图像传感器高30% ~50% 。这主要因为CCD像元耗尽区深度可达10mm,具有可见光及近红外光谱段的完全收集能力。CM OS图像传感器由于
C C D tu xiang chuan gan qi ling min du jiao C M O S tu xiang chuan gan qi gao 3 0 % ~ 5 0 % 。 zhe zhu yao yin wei C C D xiang yuan hao jin qu shen du ke da 1 0 m m , ju you ke jian guang ji jin hong wai guang pu duan de wan quan shou ji neng li 。 C M O S tu xiang chuan gan qi you yu . . .
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CCD的中文全称是电荷耦合元件,是一种半导体成像器件。通过被摄物体的图像经过镜头聚焦至CCD芯片上的原理制成了CCD摄像机,其中的核心原件就是CCD图像传感器。 C
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CCD 图像传感器具有很宽的感光光谱范围,其感光光谱可延伸至红外区域,利用此特性,可 的光谱响应范围从远紫外,近紫外,可见光到近红外区,甚至到中红外区。 2 、分辨率 分辨
电子发烧友为您提供的安森美半导体增强CCD图像传感器的近红外性能,安森美半导体图像传感器部工业和安防分部副总裁兼总经理Herb Erhardt说:“摄像机制造商和终端客户
CCD图像传感器-理想情况下,电极材料应该是完全透明的,实际上这些材料对光都有一些 薄型CCD对近红外光线几乎透明,因此长波响应很差。 电荷的生成降低反射 图中光线的
安森美半导体最新技术提高了当前Interline Transfer CCD图像传感器的近红外(NIR)灵敏度。这套系统演示了带近红外提升的8百万像素KAI-0805
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CCD图像传感器具有光敏性,非常适合近红外(NIR)成像应用以及其他要求异常高图像质量的应用。最近已接近CCD质量的CMOS传感器已成为大多数
可以称为CCD图像传感器。CCD是一种半导体器件,能够把光学影像转化为数字信号。 膜电荷的生成降低反射薄型CCD对近红外光线几乎透明,因此长波响应很差。空气或真
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